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本发明公开了一种超结器件，超结结构采用多次沟槽刻蚀加填充工艺形成，对应沟槽在纵向上分成两个以上的子沟槽，各子沟槽中填充由第二导电类型子柱并叠加形成第二导电类型柱。在各子沟槽的叠加位置处，通过增加叠加位置处的第二导电类型杂质的总量，来提高叠加位置处的第二导电类型子柱被完全横向耗尽时的第一夹断电压并使第一夹断电压大于的底部的各纵向位置处的夹断电压，以保证反偏时各叠加位置底部的第二导电类型子柱都先于叠加位置夹断。本发明还提供一种超结器件的制造方法。本发明能采用多次沟槽刻蚀加填充形成的超结结构从而降低工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111200010 A
(43)申请公布日
2020.05.26
(21)申请号 20181
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