一种通过高压剪切制备ZrS2单斜结构P21/m相的方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种通过高压剪切制备ZrS2单斜结构P21/m相的方法.pdf

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本发明公开了一种通过高压剪切制备ZrS2单斜结构P21/m相的方法，属于半导体材料的合成与制备领域。ZrS2常温常压条件下为三方结构的P3m1相，常温常压条件下称取适量的P3m1相ZrS2，放入双面顶旋转液压机砧面的中心位置，对原始样品进行加压，达到目标压力后将加压砧面旋转一定角度，对原始样品施加压力的同时施加剪切应力，卸压后取出后的样品即为单斜结构P21/m相的ZrS2。本发明对样品进行高压高剪切处理，可以在保持组分不变的情况下，制备出ZrS2单斜结构P21/m相，在室温下即可进行，而且不添加

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116812976 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310925546.7 (22)申请日 2023.07.26 (71)申请人吉林师范大学地址