一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法.pdf

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本发明涉及种一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法，器件结构包括漏电极、栅电极、源电极，第一导电类型重掺杂区、第二导电类型重掺杂区，第二导电类型柱区、第一导电类型柱区，第一导电类型阱区，第一介质栅氧化层、第二介质氧化层，第三介质氧化层。在N柱与器件表面结构形成后，用介质层作为硬掩膜版挖槽，在槽中用第一导电类型重离子进行侧壁注入形成亚微米级条宽的P柱，之后用多晶硅或介质进行填孔。由于重离子的扩散系数小，能够提高界面处的掺杂浓度，降低比导通电阻。且介质或多晶硅在孔中的加入能优化超结的体内电场，该制造

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825641 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202311006372.0 (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人无锡用芯微电子科技有限公司地址