用于液相法生长碳化硅的坩埚及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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用于液相法生长碳化硅的坩埚及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种用于液相法生长碳化硅的坩埚及其制备方法和应用，该用于液相法生长碳化硅的坩埚包括多孔碳坩埚本体，多孔碳坩埚本体的孔隙结构内嵌有碳化硅颗粒。其制备方法包括：将通过有机硅液体浸渍后的多孔碳坩埚坯体进行煅烧。通过选用多孔碳作为坩埚本体的主要支撑材料，其相较于石墨坩埚而言，成本较低，原料来源广泛。而进一步在多孔碳的孔中填充形成碳化硅颗粒，一方面加强了多孔碳坩埚的结构强度，另一方面，在利用该坩埚进行液相法生长碳化硅晶体时，孔隙结构中分布的碳化硅能够为晶体生长后期补充硅元素，进而提升了生长的碳

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815321 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202311031748.3 (22)申请日 2023.08.16 (71)申请人通威微电子有限公司地址 610