半导体超结功率器件.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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半导体超结功率器件.pdf

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本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与所述n型漂移区之间形成电荷平衡结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；部分相邻的所述第一p型体区之间设有一个第一栅沟槽，所述第一栅沟槽内设有第一栅介质层和第一栅极；剩余的相邻的所述第一p型体区之间设有至少两个第二栅沟槽，所述第二栅沟槽内均设有第二栅介质层和第二栅极。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，降低由栅漏电容突变引起的栅极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825829 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202210281110.4 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人苏州东微半导体股份有限公司地址