半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测量方法.pdf

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本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法，该装置包括图形结构和定位结构；图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各淀积孔贯穿淀积面和定位面；定位结构与图形结构连接，定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行，且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了欧姆接触的检测工序，且能够缩短检测的时间，在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825624 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310836567.1 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人珠海格力电子元器