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- 2023-09-30 发布于四川
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本发明涉及LED技术领域,具体是涉及一种内嵌对位量子点填充mini‑LED芯片及其制作方法,所述mini‑LED芯片自下而上依次是蓝宝石衬底、量子点、密封胶、P型窗口层、P电极、P型过渡层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层、N电极、复合膜钝化层、焊接电极;量子点对位内嵌在所述蓝宝石衬底上。本发明通过直接在蓝宝石衬底上形成内嵌对位量子点结构,并采用密封胶进行密封,不仅制作简单,不影响芯片制作整体过程,而且保证了量子点材料的稳定性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825934 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202311098893.3
(22)申请日 2023.08.30
(71)申请人 南昌凯捷半导体科技有限公司
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