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半导体装置以及半导体电路.pdfVIP

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  • 2023-09-30 发布于四川
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半导体装置以及半导体电路.pdf

    实施方式提供半导体装置以及半导体电路，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够减少导通损失。实施方式的半导体装置具备：晶体管区域，其包含第一沟槽、设于第一沟槽之中的第一栅极电极、第二沟槽、设于第二沟槽之中的第二栅极电极、第三沟槽和设于第三沟槽之中的第三栅极电极；二极管区域，其包含第五沟槽和设于第五沟槽之中的导电层；边界区域，其包含第四沟槽和设于第四沟槽之中的第四栅极电极，设于晶体管区域与二极管区域之间；第一电极焊盘，其与第一栅极电极电连接；第二电极焊盘，其与第二栅极电极电连接；以及第三电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825832 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202210804669.0 (22)申请日 2022.07.08 (30)优先权数据 2022-045799 202

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