原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种钴钌靶材及其制备方法，本发明以纯度为2N8(99.8％)的钴锭和纯度为3N(99.9％)的钌锭经过真空蒸馏和电弧熔炼进行纯化，得到高纯度的高纯度的4N(99.99％)钴锭和4N(99.99％)钌锭；然后采用旋转热轧工艺，得到晶粒尺寸均匀、晶粒取向度高的钴钌靶材，克服传统轧制工艺制备的靶材会出现晶粒尺寸不均匀和晶粒取向杂乱等问题，本发明有效地提高靶材晶粒尺寸均匀度和晶粒取向度。并且具有制备工艺简单，能大幅降低生产周期，降低生产成本，适合大批量生产的优点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116815138 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310848020.3 C22B 9/04 (2006.01)
文档评论（0）