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课程编号:******
《半导体光电子器件制作技术》
课程名称:半导体光电子器件制作技术
学分:1.5 学时:24 (其中实验学时:0)
先修课程:半导体物理一、目的与任务
本课程是一门专业教育选修课,适合于光信息科学技术、电子科学与技术、测控技术与仪器等专业。本课程的目的是为光电信息工程,电子科学与技术,测控技术与仪器等专业的学生进入半导体制造和研究领域打下坚实的理论和实践 基础。
本课程的任务是通过半导体光电子芯片、器件及系统制造的工艺方法、工艺原理以及半导体制造新技术及发展趋势的学习,使学生掌握半导体光电子器件与系统的通用制备方法和过程以及相关基础理论知识。
二、教学内容及学时分配第一章 绪论 (2 学时)
光电子材料
光电子器件
工艺技术概述
第二章 晶体材料生长(3 学时)
单晶硅的生长及氧化技术
砷化镓晶体的生长技术
氮化稼基晶体的生长技术
第三章 薄膜沉积技术(8 学时) 1.薄膜技术概述
蒸发技术
溅射技术
外延生长技术
CVD 技术
典型介质及金属制备技术
第四章 光刻和刻蚀(2 学时) 1.光刻工艺原理
光学光刻工艺介绍
新一代光刻方法
湿法刻蚀
干法刻蚀
第五章 掺杂技术 (2 学时) 1.扩散工艺原理
基本扩散工艺
离子注入原理
注入相关工艺
第六章 典型光电子器件制作工艺(7 学时) 1.CMOS 工艺流程及制作步骤(2 学时)
光电探测器的结构和制作(1 学时)
发光二极管的结构和制作(1 学时)
太阳能电池的结构与制作(1 学时)
电致发光显示的结构和制作(2 学时)
三、考核与成绩评定 考核:统一命题,开卷
成绩评定:考试占 80%,平时作业及日常考核等占 20%,按百分制给出最终成绩。
四、大纲说明
本大纲是根据我校电子科学与技术(光电子)、光电信息科学与工程、光电信息工程专业培养计划及其知识结构要求,并适当考虑专业特色而制定的。
在保证基本教学要求的前提下,教师可以根据实际情况,对内容进行适当的调整和删节。
本大纲适合光电类相关专业。
五、教材、参考书: 教材:
[1](美)施敏, 梅凯瑞著,《半导体制造工艺基础》,合肥,安徽大学出版社,2007 参考书:
[1](美)Michael Quirk, Julian Serda 著,《半导体制造技术》,北京,电子工业出版社 2004
[2]夏海良等编,《半导体器件制造工艺》,上海,上海科学技术出版社 1986
编写教师:喻志农责任教授签字: 教学院长签字:
《Fabrication Technology of Optoelectronic Semiconductor Devices》Course Code:
Course Name: Fabrication Technology of Optoelectronic Semiconductor Devices
Class Hour: 24
Credit: 1.5
Course Description
The objective of this course is to familiarize students with the fabrication technology of optoelectronic semiconductor devices. The course consists of crystal growth, thin film fabrication, lithography and etching, doping technique, fabrication of typical optoelectronic semiconductor devices, and so on. This course will help the students understand the general fabrication methods of optoelectronic semiconductor devices and systems, and the relevant basic theories in details. Through this course, students will be able to know the techniques of relative optoelectronic semiconductor components.
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