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本发明公开了一种平面型忆阻器阻变类型的调控方法，该忆阻器结构为平面型，从左到右，依次是源电极、薄膜材料和漏电极。采用真空镀膜工艺在衬底上沉积大面积、掺杂的薄膜材料；通过紫外光刻和刻蚀工艺进行图形化设计，使薄膜材料具有不同的沟道长度和宽度；然后再通过紫外光刻工艺，实现源、漏电极图形化；最后采用真空镀膜工艺蒸镀源、漏电极，随后经过剥离和热退火工艺，完成器件的制备。本发明所述的薄膜制备方法，既能实现厚度和掺杂程度调控，又能实现薄膜大面积、晶圆级制备。本发明通过调控薄膜的沟道长度，选择性制备易失性或非易
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116828968 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310905342.7
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 复旦大学
地址 200433
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