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本实用新型涉及热场装置技术领域，且公开了一种低能耗的碳化硅晶体生长热场装置，包括真空箱本体。该低能耗的碳化硅晶体生长热场装置，通过在碳化硅晶体时生长的时候，坩埚本体盖上的晶体的厚度会随着增加，通过旋转电机带动螺纹杆进行转动，使得螺纹块在螺纹杆的外表面向上移动，通过连接板使得限定杆外表面的活动块随着螺纹块同时向上移动，经过限定杆与活动块使得螺纹块向上移动的时候，避免其自转，当连接板向上移动，使得连接柱带着第二绝热元件向上移动，增加与坩埚本体的距离，第二绝热元件的等效热阻随着距离增大而减小，通过保持
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210560882 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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