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本发明提供一种横向变掺杂终端结构及其设计方法，终端结构自表面到底部依次包括钝化层、轻掺杂第一类导电类型漂移区和阳极区，内部上方从左到右依次包括中等掺杂第二导电类型主结区、中等掺杂第二导电类型过渡区、中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区和重掺杂第一导电类型浮空截止环，中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区由杂质浓度从主结到终端末端呈两段或两段以上线性递减的区域构成。采用分段线性VLD区域的终端区可以获得更优的VLD终端表面电场，从而可以提升器件耐压，并降低终端表面氧化层电荷对VLD终端可靠性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113658996 A
(43)申请公布日 2021.11.16
(21)申请号 202110963630.9
(22)申请日 2021.08.20
(71)申请人 电子
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