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本发明公开了一种次级同步氮化镓应用电路，包括芯片U1、金氧半场效晶体管MOSFET、变压器T1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、电容EC1及电容EC2，且所述芯片U1的型号为SC3520，所述金氧半场效晶体管MOSFET的型号为INN150LA070A。本发明具有电路简单，实用性强的优点，且同步整流管采用INN150LA070A使得效率更高，同步整流控制器采用SC3520使得其能快速关断同步整流控制器，损耗小，同时在同功率下次级氮化镓效率更好，体积可做到更
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116827149 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310831437.9 H02M 3/24 (2006.01)
(22)申请日 2023.07.0
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