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2023-09-30 发布于四川
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半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825852 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202210790718.X (22)申请日 2022.07.05 (30)优先权数据 2022-045873 202