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本发明提供一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件包括：衬底；自下而上形成在所述衬底上的子集电极层、集电极层、基极层和发射极层，所述基极层包括第一基极层和位于所述第一基极层外侧的第二基极层，所述第二基极层的电阻大于所述第一基极层的电阻。本发明形成第二基极层作为基极镇流电阻来补偿发射极‑基极电压降，能够避免由于电流集中效应而导致的热失控，便于控制基极镇流电阻的阻值大小，并且由于基极电流较小，因而能够避免引起半导体器件输出功率和功率附加效率的降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825831 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310871235.7
(22)申请日 2023.07.14
(71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公
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