场效应晶体管的隔离结构及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.92万字
约 21页
2023-09-30 发布于四川
举报
版权申诉

场效应晶体管的隔离结构及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种场效应晶体管的隔离结构及其制作方法，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本发明采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108109917 A (43)申请公布日 2018.06.01 (21)申请号 20171