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本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，半导体存储器件结构包括半导体衬底、双面电容器、底部支撑层、中部支撑层及顶部支撑层。半导体衬底具有多个电容触点，双面电容器包括第一导电层、覆盖于第一导电层的电容介质层、及覆盖于电容介质层的第二导电层。底部支撑层连接于第一导电层的底部侧壁。中部支撑层连接于第一导电层的中部侧壁；顶部支撑层连接于第一导电层的顶部侧壁，第一导电层具有凸出于顶部支撑层的凸出部，凸出部被电容介质层及第二导电层包覆。本发明利用多层支撑层来维持足够的电容高度，解决了电容器阵列区域横向
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108447864 A
(43)申请公布日
2018.08.24
(21)申请号 20181
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