一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂及其加工设备.pdfVIP

一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂及其加工设备.pdf

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本发明公开了一种用于TOPCON电池LPCVD双插工艺的碱抛添加剂,其各组分的含量为:经过纳米均质机处理的0.01‑0.1质量份的纳米材料催化剂、3‑8质量份的络合分散剂、1‑5质量份的无机盐、5‑8质量份的表面活性剂、78.9‑90.99质量份的去离子水。有益效果:采用上述添加剂抛光的TOPCON电池,可以清洗干净绕镀过来的polySi和少量BPSG,选择性保护了BSG,控制了碱腐蚀速率,均匀清洗腐蚀绕镀,没有色差外观不良等问题,实现了双插工艺与单插工艺电池效率持平,而产能翻倍,成本降低,本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116808881 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310781498.9 B01F 27/90 (2022.01)

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