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半导体集成电路装置包括具有鳍式FET的多个单元。构成鳍式FET的多个鳍(21A、21B、22A、22B)沿X方向延伸，并且布置于在Y方向上等间距分布的假想网格线(GL)上。单元包括埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)。Y方向上的尺寸较大的单元包括宽度较大的埋入式电源布线(11B、12B)。埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)在Y方向上的中央位置位于假想网格线(GL)上，或者，位于相邻的假想网格线之间的中央位置上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116830257 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202280014374.1 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任
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