晶圆刻蚀方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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晶圆刻蚀方法.pdf

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本发明提供一种晶圆刻蚀方法，包括：通过静电卡盘吸附晶圆；形成对准标记；将工艺腔室内的压力控制以及将参与刻蚀的气体的流量控制在一定范围内；进行等离子体点火，对晶圆进行释放电荷的预处理；加热静电卡盘，同时将热传导气体的流量增加至预设的流量阈值区间内；对晶圆进行释放电荷处理并将晶圆顶起。本申请通过稳定工艺腔室内的压力以及气体流量，并在等离子体点火之后，通过加热静电卡盘以及增加热传导气体的流量，将静电卡盘表面的温度升高至预设的温度阈值区间内，最后对晶圆进行释放电荷处理，可以去除静电卡盘表面堆积的大量聚合

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825629 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310012370.6 (22)申请日 2023.01.05 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址