YJ扬杰PSBD芯片 PSB158M045AS-290A规格说明书.pdf

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YJ扬杰PSBD芯片PSB158M045AS-290A规格说明书用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册

YJ Planar Schottky Barrier Diode Die Specification Anode 45V 30A, 158mil, Schottky barrier diode die based on silicon planar process Part No.: PSB158M045AS-290A Main Products Characterstics • Average forward current: IF(AV) = 30 A • Maximum operating junction temperature: Tj = 150 °C • ESD rating: 20KV, per IEC61000-4-2 (Contact Discharge) • Top metal: Al Cathode Maximum Ratings Static Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Value Parameter Symbol Rating Parameter Symbol Spec Typical Repetitive peak reverse voltage VRRM 45 V Reverse breakdown voltage VBR 50 V 54V Average forward current I 30 A I = 1mA F(AV) R Non−repetitive peak surge Maximum forward voltage drop current IFSM 350 A I = 30 A V 0.55V 0.53V (tp = 8.3 ms, halfwave, 1 cycle) F

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