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- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型涉及一种半导体器件，半导体器件包括：待刻蚀层；图形化的第一掩膜层，形成于待刻蚀层上；图形化的第二掩膜层，形成于待刻蚀层上，第二掩膜层和第一掩膜层共同定义出开口，开口暴露待刻蚀层。上述半导体器件使得在器件特征尺寸相同的情况下，第一掩膜层和第二掩膜层的特征尺寸变大，而且为器件特征尺寸的进一步缩小成为可能，还能提高器件的良率，节约成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575830 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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