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- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；第一聚合物的上表面呈凹凸不平状；开口，沿厚度方向贯穿第一聚合物层，以暴露出焊盘；重布线层，位于第一聚合物层上及开口内，且与焊盘电连接；第二聚合物层，位于第一聚合物层上，且覆盖重布线层。述半导体结构中通过将第一聚合物层的上表面设计为凹凸不平状，位于第一聚合物层上表面的介电层部分填充于凹槽内，甚至重布线层及第二聚合物层也部分填充于凹槽内，会使得位于第一聚合物层上表面的介电层与第一聚合物层具有较好的接着性，可以有效避免
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575838 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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