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本实用新型公开了一种多量子阱蓝光探测器，所述探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、GaN/InGaN多量子阱层和金属层电极，缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，GaN/InGaN多量子阱层为在缓冲层上依次交替生长的GaN层和InGaN层，交替生长的周期为6~8，GaN层的厚度为12~15nm，InGaN层的厚度为3~5nm。通过优化探测器件的芯片参数，提升了蓝光波段的量子效率；在探测芯片表面进行蓝光增敏微纳结构设计，有效降低表面对蓝光的反射损耗，增强蓝光谐振吸收，实
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210607284 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
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