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第一章测试
1. （）年，电子管出现，从而开创了电子技术之先河。
A:1904
B:1905
C:1915
D:1914
答案:A
2. 1957年，美国通用电气公司研制出第一个（），因电气性能和控制性能优
越，其应用范围迅速扩大。
A:GTO
B:IGBT
C:GTR
D:晶闸管
答案:D
3. 一般认为，电力电子学的诞生是以（ ）的发明为标志。
A:GTR
B:GTO
C:IGBT
D:晶闸管
答案:D
4. 电力电子技术中，电力变换电路包含（）变换。
A:AC/AC
B:DC/DC
C:DC/AC
D:AC/DC
答案:ABCD
5. 电力电子技术的发展趋势（）。
A:向智能化方向发展
B:向容量更大和更小的两个方向发展
C:向集成化方向发展
答案:ABC
6. 下列哪些选项可以应用到电力电子技术？（ ）
A:一般工业
B:交通运输
C:通信系统
D:电力系统
答案:ABCD
7. 变流技术是电力电子技术的核心。 （）
A:错
B:对
答案:B
8. 电力变换通常有四大类：交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交
流。（）
A:错
B:对
答案:B
9. 电力电子技术称为节能技术。 （）
A:错
B:对
答案:B
10. 电力电子学和电力电子技术是同一个概念。（）
A:对
B:错
答案:A
第二章测试
1. 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A:最大值
B:平均值
C:最小值
D:有效值
答案:D
2. 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。
A:减小至维持电流以下
B:减小至门极触发电流以下
C:减小至擎住电流以下
D:减小至5A 以下
答案:A
3. 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
A:二次击穿
B:临界饱和
C:一次击穿
D:反向截止
答案:A
4. 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用
（）。
A:吸收电路
B:抗饱和电路
C:du/dt抑制电路
D:di/dt抑制电路
答案:B
5. 具有自关断能力的电力半导体器件称为( )。
A:半控型器件
B:触发型器件
C:全控型器件
D:不控型器件
答案:C
6. 若晶闸管电流有效值是157A.，则其额定电流为 （）。
A:157A
B:100A
C:80A
D:246.5A
答案:B
7. 电力电子器件一般具有的特征有（）。
A:一般工作在开关状态
B:一般需要信息电子电路来控制
C:不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器
D:所能处理电功率的大小是其最重要的参数
答案:ABCD
8. 电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（）器件。
A:半控型
B:不控型
C:全控型
答案:ABC
9. 普通晶闸管内部有两个PN结。 （）
A:对
B:错
答案:B
10. 电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （）
A:对
B:错
答案:B
第三章测试
1. 为了让晶闸管可控整流
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