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例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 本文档共44页；当前第31页；编辑于星期一\18点0分 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 本文档共44页；当前第32页；编辑于星期一\18点0分 电子技术基础模拟部分演示文稿 本文档共44页；当前第1页；编辑于星期一\18点0分 优选电子技术基础模拟部分 本文档共44页；当前第2页；编辑于星期一\18点0分 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 本文档共44页；当前第3页；编辑于星期一\18点0分 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 本文档共44页；当前第4页；编辑于星期一\18点0分 3.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯