原创力文档- 5
- 0
- 约5.2万字
- 约 52页
- 2023-10-04 发布于四川
- 举报
一种半导体设备包括垂直晶体管(10)和体二极管(30)。对半导体设备的各种改进允许提高体二极管的性能，特别是减少干脆性并增加软度。晶体管包括衬底(12)、衬底上的漂移层(14)以及漂移层中与衬底相对的结注入。结注入包括体阱(16)和体阱内的源极阱(18)。电接触由与源极阱和体阱的源极接触件(22)以及与衬底的漏极接触件(24)提供。栅极绝缘体(26)在漂移层上并且在源极阱和体阱的一部分之上，并且栅极接触件(28)在栅极绝缘体上。源极与漏极之间的体二极管的软度大于0.5。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116848641 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202180087577.9 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
文档评论（0）