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本发明公开了一种空气桥的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括以预设的曝光剂量分布对电子束光刻胶中的空气桥区域进行灰度曝光，在空气桥区域中形成桥撑结构；曝光剂量分布中，对应桥墩区域的曝光剂量大于对应桥面区域的曝光剂量，且从桥墩区域至桥面区域的曝光剂量均匀变化；空气桥区域外侧不进行曝光；在进行曝光之后，对电子束光刻胶进行显影，在空气桥区域中制成桥撑；在设置超导层后，去除设置在侧壁表面的超导层，剥离电子束光刻胶，制成空气桥。基于电子束灰度曝光，可以在一次曝光显影过程中形成具有斜面的桥撑结构，以及在桥撑
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116847721 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310731446.0
(22)申请日 2023.06.19
(71)申请人 深圳量旋科技有限公司
地址 51
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