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本发明提供了一种闪存的形成方法，包括：在衬底内形成有源区，在衬底上依次形成耦合氧化层、浮栅多晶硅层、氮化硅层和硬掩膜层，硬掩膜层为硅酸乙酯基二氧化硅；使用丙二醇一甲醚或丙二醇一甲醚乙酸酯清洗硬掩膜层的表面；将剩余的丙二醇一甲醚或丙二醇一甲醚乙酸酯去除；在硬掩膜层上依次形成抗反射层和光刻胶层；图形化光刻胶层和抗反射层；根据图案化的光刻胶层和抗反射层依次干法刻蚀硬掩膜层、氮化硅层、浮栅多晶硅层、耦合氧化层和有源区，形成浅沟槽；向浅沟槽填充氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。本发明对硬掩膜层的表面进行清洗，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116847656 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310789623.0
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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