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- 2023-10-04 发布于四川
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一种三维存储器装置包含：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，其位于衬底上方；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述第一交替堆叠；第二绝缘层和第二导电层的第二交替堆叠，其位于所述衬底上方且与所述第一交替堆叠横向间隔开；触点层级电介质层，其上覆于所述第一交替堆叠和所述第二交替堆叠；平坦半导体材料层，其接合到所述触点层级电介质层且在所述第二交替堆叠的区域上方；以及场效应晶体管，其位于所述平坦半导体材料层上且电连接到所述第一导电层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116848963 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202180089349.5 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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