- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种高均匀磁场实现方法,主要思路是分别采用中间夹持导磁铁芯的N‑N及S‑S极对顶结构磁体,并将两组磁体相对布置,以在两铁芯相对的中间区域实现强度0~2T以上,均匀度10‑5‑10‑6的磁场分布。采用的磁场产生装置的结构包括S极磁组和N极磁组;S极磁组由偶数个S极磁体和一个S极铁芯组成,S极磁体采用S磁极相对方式将S极铁芯夹持在中心位置;S极磁组底部固定于S极基座上;N极磁组由偶数个N极磁体和一个N极铁芯组成,N极磁体采用N磁极相对方式将N极铁芯夹持在中心位置;N极磁组位于S极磁组上方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116844818 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310821790.9
(22)申请日 2023.07.06
(71)申请人 西南交通大学
地址 610031
文档评论(0)