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本发明涉及一种高耐压的增强型CAVET及其制备方法，包括设置于衬底上的缓冲层，设置于缓冲层上的电流孔径层和对称设置于电流孔径层两侧的第一凹形电流阻挡结构和第二凹形电流阻挡结构，位于电流孔径层和凹形电流阻挡结构上的沟道层和势垒层，势垒层上设置有具有通孔的双层p型GaN帽层，通孔中设置有钝化层，第一源极和第二源极设置于势垒层的两端，p型GaN帽层和钝化层上设置有栅极，栅极与源极之间设置有钝化层，衬底的背面设置有漏极，该器件具有高击穿电压、低导通电阻和较高的阈值电压，制备方法简单、易操作。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116845101 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310824161.1
(22)申请日 2023.07.06
(71)申请人 华南师范大学
地址 510631
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