场效应管习题答案.docx

第四章 场效应管基本放大电路 选择填空 场效应晶体管是用 控制漏极电流的。 a. 栅源电流 b. 栅源电压 c. 漏源电流 d. 漏源电压2．结型场效应管发生预夹断后，管子 。 a. 关断 b. 进入恒流区 c. 进入饱和区 d. 可变电阻区 场效应管的低频跨导g m 是 。 常数 b. 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 场效应管靠 导电。 一种载流子 b. 两种载流子 c. 电子 d. 空穴 增强型PMOS 管的开启电压 。 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 增强型NMOS 管的开启电压 。 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 只有 场效应管才能采取自偏压电路。 增强型 b. 耗尽型 c. 结型 d. 增强型和耗尽型 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大，目的是 。 设置合适的静态工作点 b. 减小栅极电流 c. 提高电路的电压放大倍数 d. 提高电路的输入电阻 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与 有关。 管子跨导g m 源极电阻R S 管子跨导g m 和源极电阻R S 某场效应管的I DSS 为 6mA，而I DQ 自漏极流出，大小为 8mA，则该管是 。 P 沟道结型管 b. N 沟道结型管 c. 增强型PMOS 管 d. 耗尽型PMOS 管 e. 增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管 解答： ,c 4. a 7. b,c 8. d 已知题 4-2 图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源 V DD 的极性（+、-）、 u 的极性（0，≥0，0，≤0,任意）分别填写在表格中。 GS 图号项目 图号 项目 沟道类型增强型或耗尽型 电源 V 极 D 性 U 极性 GS （a） N 结型 (b) P 结型 (c) N 增强型 (d) N 耗尽型 (e) P 增强型 (f) P 耗尽型 ＋ － ＋ ＋ － － ≤0 ≥0 0 任意 0 任意 试分析如题 4-3 图所示各电路能否正常放大，并说明理由。 解： 不能。 VT 是一个 N 沟道 JFET，要求偏置电压 U GS 满足 U U GS,off GS 0，而电路中 VT 的偏置电压 U 0，因此不能进行正常放大。 GS 能。 VT 是一个 P 沟道 JFET，要求偏置电压 U GS  满足 0U U GS  ，而电路中 VT 的偏置电压 GS,off U 0，只要在 0U U 范围内就能进行正常放大。 GS GS GS,off 能。 VT 是一个N 沟道MOSFET，要求偏置电压U  满足 U U  0。电路中U  0，如果满足 U U GS GS,off 就可以正常放大。 GS GS GS,off GS 不能。 虽然 MOSFET 的漏极D 和源极S 可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然 电路中自给偏置电压U 0，也可能满足U U 0。但是D 极和衬底B 之间的PN 结正向 GS 导通，因此电路不能进行信号放大。 GS GS,off 不能 VT 是一个N 沟道增强型MOSFET，开启电压U  0，要求直流偏置电压U U ，电路中 on U =0，因此不能进行正常放大。 GS on GS 能。 VT 是一个 P 沟道耗尽型 MOSFET，夹断电压 U  0，放大时要求偏置电压 U  满足 U U 。电路中U 0，如果满足U U GS,off 就可以正常放大。 GS GS GS,off GS GS GS,off 电路如题 4-4 图所示，V =24 V，所用场效应管为 N 沟道耗尽型，其参数 I =，U =-4V， 跨导 g =V。电路参数R DD =200kΩ, R DSS =64kΩ, R =1MΩ, R = R = R =10kΩ。试求： GS,off m G1 静态工作点。 电压放大倍数。 G2 G D S L 输入电阻和输出电阻。 解： 1． 静态工作点的计算 在 U ≤U ≤0 时， GS,off GS 解上面两个联立方程组，得漏源电压为 2．电压放大倍数 3．输入电阻和输出电阻。输入电阻 输出电阻 电路如题 4-5 图所示，V  =18 V，所用场效应管为N 沟道耗尽型，其跨导g =2mA/V。电 路参数R =Ω, R DD m =51kΩ, R =10MΩ, R =2 kΩ, R =33 kΩ。试求： G1 G2 G S D 电压放大倍数。 若接上负载电阻R =100 kΩ,求电压放大倍数。 L 输入电阻和输出电阻。 定性说明当源极电阻R S 增大时，电压放大倍数、输入电阻、输出电阻是否发生变化如果 有变化，如何变化 若源