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本申请实施例提供一种基于自旋轨道矩的存储单元、阵列、电路、及方法，其中存储单元包括：一第一晶体管和一对第二晶体管；以及磁性隧道结，其包括依次层叠的自旋耦合层、自由层、势垒层以及固定层。本发明三个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元，与传统的采用两个晶体管和一个三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器件组成一个存储单元的结构相比，提高了写入效率，并且没有增加面积，有利于提高集成度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116844597 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202210299223.7
(22)申请日 2022.03.25
(71)申请人 北京航空航天大学
地址 1001
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