一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-04 发布于四川
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一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接触电极。制备方法为从下至上在Si衬底上沉积MoS2层、SiO2层、加热电极层，随后刻蚀出加热电极，再在加热电极周围填充SiO2层，在填充的SiO2层上刻蚀出金属接触电极的填充孔，在填充孔内沉积金属接触电极。本申请的调制器使用加热电极对MoS2层进行加热，进而对穿过

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116841059 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310916213.8 (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人上