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本发明公开了一种曝光面偏移检测装置、检测方法及光刻系统，该装置包括：聚焦光源、小孔和光强探测器；仿真模块，用于对所述小孔处于不同初始位置对应的所述光强探测器检测的聚焦光斑的光强变化进行模拟仿真，得到对应的频谱幅值比，并根据不同的初始位置及对应的频谱幅值比生成对应的关系曲线，并根据所述关系曲线确定曝光面偏移量。本发明通过采用小孔测距的方法，根据小孔震荡发生的周期性变化以及聚焦光斑的光强变化，以确定测量焦面的偏移量，并根据该偏移量进行调节，以解决光刻系统曝光光路焦面偏移检测问题，并达到减小测距装置体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116841132 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310916339.5
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
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