掺N的4H-SiC第一性原理研究的中期报告.docxVIP

掺N的4H-SiC第一性原理研究的中期报告 本中期报告主要介绍我所进行的掺N的4H-SiC第一性原理研究工作进展情况。 1. 计算模型的建立 首先，我通过VASP软件计算建立了4H-SiC (0001)表面的模型，并进行了几何优化，得到了最稳定的结构。然后，我将不同浓度的N原子掺入该模型中，模拟出了掺杂SiC晶体的几何结构，并进行了几何优化。 2. 电子结构的计算和分析 接下来，我进行了掺杂后的4H-SiC晶体的电子结构计算和分析。通过DOS和PDOS图像的绘制，我们可以看到相对于纯SiC，掺杂后的材料带隙发生了明显的变化。此外，掺杂后的N原子显示出了特殊的电子结构贡献。同时，我还计算了掺杂四种不同位置的N原子后系统的总能量和电子结构的变化，结果表明，不同位置的N原子的掺杂会对晶体的性质产生不同的影响。 3. 探究N掺杂的影响 在进一步的研究中，我将专注于探究N掺杂对4H-SiC晶体性质的影响。特别是，我将关注以下几个问题： - N掺杂对4H-SiC的电子结构和光学性质的影响 - N掺杂对4H-SiC的电子迁移率的影响 - 不同位置的N原子掺杂对4H-SiC性质的影响 4. 后续工作计划 未来，我将继续进行掺N的4H-SiC晶体的第一性原理计算研究，主要关注掺杂的影响以及N原子的位置和浓度对材料性质的影响。同时，我还将探究其他掺杂材料对4H-SiC的影响，以及有机物质对该晶体表面的影响，并进一步研究其在器件方面的应用。