电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件-编写说明.docxVIP

电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件 编制说明 1编制背景 本标准的编制背景为：碳化硅（SiC）材料是目前世界上公认的绿色高效的新型半导体材料，是下一 代能源转换装置的核心材料。与传统硅基电力电子器件相比,基于碳化硅材料的电力电子器件具有10倍 电压容量，可高达7万伏，4-5倍电流密度，工作温度可以从125℃提高到200℃以上。应用于电力电 子装置，可以大幅度减少器件串并联数，减少装置损耗70%,减少装置体积30%以上。将对未来电网建 设产生重大变革，助推能源互联网的发展。 碳化硅外延片是制备碳化硅电力电子器件的核心材料，其质量直接关系器件的性能。我国目前对于 电力系统高压器件应用的碳化硅外延片标准还没有，因此本标准的制定将填补我国电力系统中碳化硅 外延片标准的空白，引领国内碳化硅在电力系统领域的技术发展，抢占国际在该领域的技术制高点，促 进我国高压碳化硅行业健康、有序的发展。 本标准编制主要目的为：建立健全电力系统领域碳化硅标准工作，明确碳化硅在电力系统领域的使 用条件，促进行业健康有序发展。 本标准是根据《中电联关于转发国家能源局2016年能源领域行业标准制（修）订计划的通知》（中 电联标准［2016） 283号）的安排制定的。本标准在任务下达时的名称为《电力系统高压功率器件用碳 化硅外延片使用技术条件》（编号。 2编制主要原则 本标准根据以下原则编制