IPM原理及测试方法课件.pptxVIP

Page 1;1.IPM的定义及基本结构框图;IPM即智能功率模块（Intelligent Power Module） ，是一种把功率开关器件和门极驱动电路集成在一起的电力集成电路，其在电力电子领域的应用非常广泛。在IPM中不仅集成了高效的功率开关器件（MOSFET，IGBT）和优化过的门极驱动电路，往往还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路。;Page 4;一种典型的IPM电路 FSB20CH60的内部结构图;SD05M50D的内部结构图;IPM与以往传统的功率开关模块与驱动电路的分立组件相比具有如下特点：;Page 8;Page 9;Page 10;Page 11;（180度驱动方式）;Page 13;Page 14;3.IPM重点参数及测试方法介绍;Page 16;功率开关器件击穿电压（BVDSS）测试;上图为FSB20CH60上桥臂IGBT的击穿电压测试图，其中 IGBT的C极接高压，E极接地，另外尤其要注意的是HVIC的VS端必须接地，这样才能保证IGBT的栅极电平与E极的电平一致，从而使IGBT能处于关闭状态。;上图为FSB20CH60下桥臂IGBT的击穿电压测试图，其中IGBT的C极接高压，E极接地，要注意的是LVIC的 COM端必须接地，这样才能保证IGBT的栅极电平与E极的电平一致，从而使IGBT能处于关闭状态。;HVIC击穿电压（BVDSS）测试;3.2高压漏电流（IDSS）测试;3.3正向导通电压（VDSON）测试;上图为FSB20CH60上桥臂IGBT的导通电压测试图，其中IGBT的C极接高压，E极接地，IN脚接入高电平， 使IGBT处于导通状态，然后使用电子恒流源给IGBT灌 入额定值的电流，然后测试IGBT C极与E极之间的电压差值。;3.4反向导通电压（VSD）测试;上图为FSB20CH60S上桥臂反向导通电压测试图，其中 IGBT处于关闭状态，然后从IGBT的E极灌入额定的电流值， C极接地，此时IGBT E极与C极之间的电压差值即为反向导通电压。;3.5 HVIC高侧静态电流(IBS)测试;高压侧静态电流（IBS）是一项非常关键的参数，由于 IPM在正常工作时，上桥臂IGBT的开启必须通过电荷泵自举的方式进行供电，因此给HVIC的高压侧供电的实际上是 VB-VS之间的电容。由于客户从成本角度考虑，往往使用容值很低的电容作为VB-VS之间的电容，这样就对IBS提出了要求，如果IBS很大，那VB-VS电容将无法提供足够的电流，从而导致上桥臂的IGBT无法开启。 自举时系统工作图如下：;3.6 热阻(R?JC)测试;热阻的精确测试需要购置专用???仪器，这里将介绍一种简易的测试方法，虽然无法很精确的定量测试出热阻值，但可以定性地表征出IPM的热阻特性，尤其是可以用于不同产品之间的对比。;如上图所示，首先使所有的6路输入为高，将6个IGBT全部打开。然后使用恒流源向IPM灌入额定的电流，电流通过IPM直接流入GND，这样将使所有的耗散功率都在加在IPM之上，通过调节恒流源的输出电流I，将可以得到不同的耗散功率P，然后测试不同P下面的IPM表面温度T，这样就可以得到P-T曲线，用于表征IPM热阻特性。;3.7 上升沿时间（Tr）和下降沿时间(Tf)测试;如上图，主要测试SD05M50下桥臂MOSFET的上升 沿时间和下降沿时间，对于IPM而言，MOSFET的上升 沿时间和下降沿时间可以通过内置HVIC的输出口阻抗来进行调整，不同的沿时间可以形成不同规格的IPM，对 于上升沿时间和下降沿时间的调整必须十分慎重，时间 过短将造成对功率器件较强的电流冲击，使功率器件容 易损坏，同时也会对系统中的其他部件产生较强的干扰；而时间过长则会造成功率器件开关损耗变大，导致功率 器件发热量变大。;3.8 上升延迟时间（Ton）和下降延迟时间 (Toff)和 (Trr)测试;如上图，可以得到相关的如下波形：;由上图可知，上升延迟时间即VIN由低变高和VDS由高变低之间的时间差，下降延迟时间即VIN由高变低和VDS由低变高之间的时间差。 反向恢复时间需要用专用仪器测试，用示波器测试误差较大。;3.9 单脉冲雪崩能量(EAS)测试;上图为SD05M50下桥臂MOSFET的EAS测试图，由上图可以得到如下的测试波形：;通过增加VIN的脉冲宽度，使得VDS和Id的最高值不停的增加，测试当功率开关器件出现损坏时的VDS和Id，则 EAS=VDS*Id。;3.10 短路耐量电流(ISC)测试;上图为SD05M50下桥臂MOSFET的ISC测试图，由上图可以得到如下的测试波形：;固定VIN的高电平脉冲宽度，然后通过增加VDC的电压值，使得Id不停地增高，测试当SD05M50内置MOSFET开始出现损坏时的Id值。;Thank you