发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-10-07 发布于四川
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本实用新型公开了一种发光二极管,包括:半导体发光叠层,包含第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的有源层,具有相反的上表面、下表面及连接上、下表面的侧面,其中上表面为出光面;反射层,形成于所述半导体发光叠层的下表面之上;其特征在于:还包括一透光层,形成于所述半导体发光叠层的上表面之上,并至少部分覆盖所述侧面,所述半导体发光叠层发射的光线经由该透光层向外射出,其出光角为135°以上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210607312 U (45)授权公告日 2020.05.22 (21)申请号 20192

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