一种低栅极电荷的超级结功率器件.pdfVIP

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2023-10-08 发布于四川
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一种低栅极电荷的超级结功率器件.pdf

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本实用新型提出一种低栅极电荷的超级结功率器件，包括N‑型外延层和N+型漏区，所述N‑型外延层位于N+型漏区上方，N+型漏区的底面设有背面电极；N‑型外延层内设有P型柱状掺杂区，P型柱状掺杂区的顶部设有P‑型体区，P‑型体区内设有N+型源区，N+型源区之间设有第二P+型区；N‑型外延层的上表面覆盖有栅极氧化层，栅极氧化层上方覆盖有栅极多晶硅，栅极多晶硅之间由氧化层隔离，氧化层上方覆盖有源极金属。本实用新型与现有传统超级结器件相比栅极电荷降低了30‑50％，大大优化了开关速度和开关能耗，具有更优化的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210607253 U (45)授权公告日 2020.05.22 (21)申请号 20192