拓扑绝缘体介观量子器件的低温电子输运性质研究的中期报告.docxVIP

拓扑绝缘体介观量子器件的低温电子输运性质研究的中期报告 中期报告 研究背景和意义： 拓扑绝缘体是一种新型特殊的材料，在低温下表现出以量子霍尔（QHE）和量子自旋Hall（QSHE）效应为主的电子输运现象，具有宏观量子效应，能够用于制备高效与高性能的量子器件，例如拓扑场效应晶体管、半导体拓扑激发器等。由于拓扑绝缘体的特殊性质，因此研究拓扑绝缘体介观量子器件的低温电子输运性质是目前物理研究的热点和难点之一。 研究进展： 本研究团队使用分子束外延（MBE）法制备了拓扑绝缘体材料，通过电子束光刻技术制备了介观量子器件，包括一维微型导线、二维混沌“麦克斯韦反转器”以及三维拓扑绝缘体微方管，开展了低温下的电子输运性质研究。 其中，我们通过对一维微型导线的电子输运性质的研究发现，该导线具有较强的拓扑保护效应，可实现高效电流传输；通过对二维混沌“麦克斯韦反转器”的研究，发现系统可在多个状态之间进行转换，具有明显的拓扑相变；通过对三维拓扑绝缘体微方管的研究，发现输运性质与拓扑数之间存在明显的联系，拓扑数越大，则电子输运效应越显著。 研究展望： 下一步，我们还将继续对以上三个介观量子器件的电子输运性质进行研究，并且将探索更多新型的介观量子器件，例如基于拓扑绝缘体的量子比特存储器等，以期能够更深入地研究拓扑绝缘体的性质和应用。