-《单片机原理及接口技术》课件第八章 半导体存储器PPT内容-.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 《单片机原理及接口技术》课件第八章 半导体存储器PPT内容 1、基本要求：熟识半导体存储器分类，能依据实际需要 扩充外部RAM和ROM。第八章第八章 MCS-51单片机存储器扩展应用技术单片机存储器扩展应用技术第一节第一节 存储器扩展存储器扩展概述概述存储器存储器M RAM（Random Access Memory)ROM(Read Only Memory)SRAM(Static RAM)DRAM(Dynamic RAM)NVRAM(Non Volative RAM)掩模掩模ROMPROM（Programable ROM)EPROM(Erasable PROM)E2PROM(Electrically EPROM)一、存储器分类 P2 ALE P080518 2、751 /PSEN /WR /RD地址地址 锁存器锁存器CBDBABA8-A15A0-A7D0-D7二、二、MCS-51的最小系统的最小系统图8-28031ROM时钟时钟电路电路复位复位电路电路一、一、ROM存储器扩充步骤存储器扩充步骤1、首先依据已知、首先依据已知ROM芯片参数和所求参数求得芯片参数和所求参数求得 所需芯片数所需芯片数=所需容量所需容量/每片容量（假设字长相同）每片容量（假设字长相同）2、求得芯片的地址线、数据线根数、求得芯片的地址线、数据线根数3、连接连接AB、DB和和CB中的中的/PSEN、/RD DB AB /PSEN、/RD单片机：单片机：存储器：存储器：P0P2+P  3、0读读ROM RAM读读 Di（I/Oi)Ai（=16根）根）+/CE（/CS）/OE(/RD)/OE(/RD)其次节其次节 程序存储器程序存储器ROM的扩展技术的扩展技术 例例 用用2764（8K*8bit即即8KB)扩展扩展16K字节的字节的EPROMP2.7P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.08051P0.0P0.1P0.7ALE/PSEN 74LS373GA12 A11 A8 /CEA7 2764A0 O0 /OEO7 A12 A11 A8 /CEA7 2764A0 O0 /OEO7？对于片选信号有以下三种连接方法（一）线选法（一）线选法/CE#1/CE#2/CE#  4、3/CE#4 A15A14A13A12A11 A10A8A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0#1：#2：#3：#4：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0*7000H77FFH*1 1 0 16800H6FFFH5800H5FFFH3800H3FFFHA11A12A13A14A0A10DB0-7（二）全译码法（二）全译码法A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A01#：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0000H07  5、FFH2#：0 0 0 0 10800H-0FFFH3#：1000H-17FFH4#：1800H-1FFFH Q0 5-32 译 Q3码 器 Q31/CE#4/CE#3/CE#2/CE#1A11-A15A0-A10A0-A15DB0-7（三）部分译码法（三）部分译码法 Q0 2-4 译 Q3码 器 /CE#4/CE#3/CE#2/CE#1A11-A12A0-A10A0-A12DB0-71#：A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0*0 0 00 0 11 1 100  6、00H2000HE000H地址重叠地址重叠图88 单片程序存储器扩展连接图 二、扩充ROM芯片举例例1 用一片2716（2K*8b）扩充8031 外部EPROM2KB，试画出连接图。检验一下三总线的连接是否正确图89 两片程序存储器扩展连接图例2 试用2764（8K*8b）扩充16K*8b的EPROM。图8-9所示。图817 译码法扩展三片 8KB EPROM 例例3 3 译码法扩展三片译码法扩展三片 8 8KB EPROMKB EPROM 补例补例 扩展扩展16K字节字节EPROM P2.7 P2.