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51 单片机练习题集附答案解析 第一、二章单片机概述与结构 一、填空题 1．单片机复位后，SP 、PC 和I/O 口的容分别为口的容分别为 。 2 ．单片机有四个工作寄存器区，由PSW 状态字中的 RS1 和 RS0 两位的状态来决定。单片机复位后，若执行SETB RS0 指令，此时只能 使用 1 区的工作寄存器，地址围是08H0FH 。 3 ．51 单片机驱动能力最强的并行端口为 P0 端口。 4 ．51 单片机PC 的长度为16 位，SP 的长度为___8____位，DPTR 的长度为_16__位。 5 ．访问 51 单片机程序存储器地址空间、片数据存储器地址、片 外数据存储器地址的指令分别为__movc_____ ，MOV 和_movx______ 。 6 ．若A 中的容为63H ，那么P 标志位的值为 1 。 7．当扩展外部存储器或I/O 口时，P2 口用作高八位地址总线。 8 ．51 单片机部 RAM 区有 4 个工作寄存器区。 9 ．51 单片机部 RAM 区有 128 个位地址。 10 ．外部中断 1 （）的中断入口地址为0013 ；定时器 1 的中断入 口地址为001B 。 11 ．51 单片机有 4 个并行 I/O 口，P0~P3 是准双向口，所以由 输出转输入时必须先写入 1 。 12 ．51 单片机的堆栈建立在部 RAM 开辟的区域。 二、选择题 1．访问片外部数据存储器时，不起作用的信号是（C ）。 A ．/RD B ．/WE C ．/PSEN D ．ALE 2 ．51 单片机 P0 口用作输出时，应外接 （A ）。 A ．上拉电阻 B ．二极管 C ．三极管 D ．下拉电阻 3 ．进位标志 CY 在（ C ）中。 A ．累加器 B ．算逻运算部件 ALU C ．程序状态字寄存器 PSW D ．DPTR 4 ．堆栈数据的进出原则是（D ）。 A ．先进先出B ．进入不出C ．后进后出D ．先进后出 5 ．51 单片机系统中，若晶振频率为 6MHz ，一个机器周期等于 （D ）μs。 A ．1.5 B ．3 C ．1 D ．2 6 ．在家用电器中使用单片机应属于微计算机的（ B ）。 A ．辅助设计应用 B．测量、控制应用 C ．数值计算应用 D ．数据 处理应用 7．PC 的值是（C ）。 A ．当前正在执行指令的前一条指令的地址 B．当前正在执行指令 的地址 C ．当前正在执行指令的下一条指令的地址 D ．控制器中指令寄存 器的地址 8 ．单片机应用程序一般存放在（ B ）中。 A ．RAM B ．ROM C ．寄存器D ．CPU 9 ．在堆栈操作中，当进栈数据全部弹出后，这时 SP 应指向（ D ） A ．栈底单元B．7FH 单元 C ．栈底单元地址加 1 D ．栈底单元地 址减 1 10．51 单片机的并行 I/O 口信息有两种读取方法：一种是读引 脚，还有一种是（A ）。 A ．读锁存器B ．读数据库C ．读A 累加器D ．读CPU 三、判断 1．所谓的单片机，就是将 CPU 、存储器、定时/计数器、中断功 能以及 I/O 设备等主要功能部件都集成在一块超大规模集成电路的微 型计算机。（T）2 ．51 单片机的程序存储器数和数据存储器扩展的最 大围都是一样的。（T ）3 ．51 单片机是微处理器。（T ） 四、简答题 1．单片机的发展大致分为哪几个阶段？ 单片机的发展历史可分为四个阶段： 第一阶段 （1974 年1976 年）：单片机初级阶段。 第二阶段 （1976 年1978 年）：低性能单片