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实施方式提供一种能够抑制贴合面及贴合面附近的不良情况的半导体装置、晶圆及晶圆的制造方法。实施方式的半导体装置具有第1积层体、及与第1积层体贴合的第2积层体。第1积层体具有设置在第1积层体与第2积层体贴合的第1贴合面的第1焊垫。第2积层体具有在第1贴合面处与第1焊垫接合的第2焊垫。将从第1积层体朝向第2积层体的方向设为第1方向,将与第1方向交叉的方向设为第2方向,将与第1方向及第2方向交叉的方向设为第3方向,将第3方向上的第1焊垫、第2焊垫各自的尺寸设为PX1、PX2,将第2方向上的第1焊垫、第2
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864473 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202210757701.4 H10B 41/20 (2023.01)
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