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本发明提供了一种基于负微分电阻的忆阻器、其制备方法及应用。采用两个基于负微分电阻(NDR)的忆阻器和一个电感即可形成神经元电路。本发明所提供的忆阻器实现了神经元膜的集成特性，避免了使用外部电容器，并成功地将其应用于超简化神经元电路。忆阻器中的负微分效应模拟了神经元的动作电位行为，只需要两个NDR忆阻器和一个电感器就可以实现丰富的神经元动力学和著名的FitzHughNagumo(FN)生物神经元动力学。结果表明，本发明为使用NDR忆阻器模拟FN神经元开辟了道路，并为构建高度集成的神经形态学硬件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116867354 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310831354.X
(22)申请日 2023.07.07
(71)申请人 河北大学
地址 071002
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