一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116867289 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310898432.8 H10K 71/00 (2023.01)