一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用.pdf

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本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116855251 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310795462.6 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人浙江奥首材料科技有限公司地址