多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法，上述的二极管器件包括衬底、缓冲层、多沟道层、阳极及阴极；缓冲层设于衬底上，多沟道层设于缓冲层背离衬底的一侧；多沟道层为多个，多个多沟道层依次堆叠布设；任一多沟道层由沟道层、δ掺杂层和势垒层构成，沟道层设于衬底上，δ掺杂层设于沟道层和势垒层之间；阳极和阴极均垂直设于缓冲层上、且分别与多沟道层的两侧欧姆接触。该二极管器件具有更高的击穿电场，可以承受更大的输入电压，使其保障在THz工作波段的同时，实现器件的高输出功率，兼具高频率高输出功率优势

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116867355 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310774620.X (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人湖北九峰山实验室地址 4300

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